原子层沉积(ALD)是一种沉积原子级薄膜的技术,它是以一种连续脉冲的方式在样品表面和反应前驱体材料之间发生化学反应。与传统的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术相比,沉积速率相对较慢,但是它可在高深宽比的沟槽和通孔结构上沉积均匀薄膜。另外,在原子层沉积过程中,样品表面上没有物理和电学损伤,而在PECVD过程中由于离子轰击这种损伤却不可避免。此外,通过使用不同的反应材料可沉积各种薄膜(氧化物,氟化物,氮化物,金属等)。
Parylene HT,该材料具有更低的介电常数(即透波性能好)、好的稳定性和防水、防霉、防盐雾性能.短期耐温可450摄氏度,长期耐温
CVD(Chemical Vapor Deition)法:将对二和水蒸气按一定比例混合,经 950~1000 °C高温热解,得到对二环二体(dimer),随后,经提纯的二聚体在 120°C 的升华区内升华,在惰性气体的推动下,二聚体进入温度为 660°C 的裂解区,高温下二聚体的分子键断裂,生成活性的对二活性单体(monomer),派瑞林涂层防水,后在惰性气体气的推动下,活性单体在常温或较低温度下的真空沉积室里,在相应的基体材料的表面聚合沉积为parylene 薄膜。
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